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  • “意法半导体中国”官方微信宣布成功制造出200mm碳化硅晶圆
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       7月27日消息,“意法半导体中国”官方微信宣布,意法半导体(简称“ST”)瑞典北雪平工厂成功制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片,这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。 200mm的碳化硅晶圆相比与150mm的碳化硅晶圆相比,可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍,使得产量和生产效率可以得到极大的提升。
       碳化硅一种宽禁带化合物半导体材料,相对于传统的硅材料来说,碳化硅属于第三代半导体材料的典型代表,其拥有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势, 可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。需要指出的是,而碳化硅材料的生长也效率非常低,并不像硅材料那样,可以相对容易的制备出数米长的晶棒。目前碳化硅生长出来体积也相对比较小,所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm晶圆。而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2~9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右)的脆性材料,因此,碳化硅晶圆的制备损耗非常高(通常损耗高达三分之二),良率也比较低。



标签:晶圆 半导体   

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